时间：2025/6/3 10:54:01
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FDPF12N60NZ 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的硅技术制造，适用于高电压、高效率的开关应用。其耐压等级为 600V，连续漏极电流为 12A，广泛用于工业和消费类电子产品的电源管理电路中。
FDPF12N60NZ 的设计注重低导通电阻与高雪崩能力的结合，能够显著提高系统的可靠性和效率。同时，该器件具有快速开关速度，可降低开关损耗，非常适合在高频条件下运行的系统。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
栅极阈值电压：3.5V
导通电阻：1.1Ω
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-247 高耐压能力：600V 的额定漏源电压使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为 1.1Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能：由于较低的输入电容和输出电荷，该 MOSFET 可实现快速开关操作。
4. 高可靠性：具备出色的雪崩能力和抗静电放电能力。
5. 热稳定性：支持的工作结温范围广（-55℃ 至 150℃），适合恶劣环境下的应用。
6. 封装形式：采用 TO-247 封装，便于散热并简化安装过程。
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. PFC（功率因数校正）电路
6. 工业控制设备
7. 电池充电器
8. 太阳能逆变系统
9. 其他需要高效功率转换的应用场景
FDPF12N60,
IRFP460,
STP12NB60,
IXFN12N60T2
