FDPF10N50CT 时间：2025/8/24 15:39:20 阅读：5

FDPF10N50CT 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等电力电子系统中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点。FDPF10N50CT 通常采用 TO-220 或 I2PAK 封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：10A
　　漏源击穿电压（VDS）：500V
　　栅源击穿电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为 0.68Ω（典型值为 0.58Ω）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220 或 I2PAK

特性

FDPF10N50CT 的主要特性包括其低导通电阻，这使得在高电流条件下导通损耗更低，提高了系统的整体效率。
　　此外，该 MOSFET 具有高耐压能力，漏源电压（VDS）可达 500V，适用于中高压应用环境，如工业电源和变频器系统。
　　其栅源电压范围为 ±30V，具备良好的栅极保护能力，同时支持较高的驱动电压以确保完全导通状态。
　　该器件还具备出色的热稳定性，封装设计支持良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
　　此外，FDPF10N50CT 还具有快速开关特性，减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。
　　它符合 RoHS 环保标准，适合绿色电子产品设计和应用。

应用

FDPF10N50CT 主要用于需要高耐压和较高电流能力的功率开关场合，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关控制电路。
　　在工业自动化和电机控制领域，该器件可作为功率开关使用，控制电机的启停和方向。
　　在太阳能逆变器和 UPS 系统中，FDPF10N50CT 也可用于功率转换和控制电路中。
　　此外，该 MOSFET 也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
　　在 LED 照明电源、电焊机和感应加热等应用中也有广泛的应用前景。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，FDPF10N50CT 也适用于高温环境下的长期运行设备。