时间：2025/12/29 14:33:54
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FDP86363_F085 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流容量和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：110A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.75mΩ（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.1V 至 2.5V
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerPAK SO-8
FDP86363_F085 的核心特性之一是其超低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
该器件采用先进的封装技术，提供优异的热性能，有助于在高电流应用中保持稳定的工作温度。
其高电流容量（110A）使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、电信设备和工业控制系统。
此外，该MOSFET具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）增强了其在各种环境条件下的可靠性与稳定性。
由于其优异的电气和热性能，FDP86363_F085 在电源管理应用中具有出色的耐用性和长期稳定性。
FDP86363_F085 广泛应用于需要高效能功率管理的电子系统中，包括但不限于：
DC-DC转换器，特别是在服务器、笔记本电脑和台式机的电源管理系统中；
同步整流器，用于提高电源转换效率；
负载开关和热插拔电路，用于控制电源的通断，防止过流和短路；
电动工具和电池供电设备中的功率控制电路；
工业自动化设备和电源分配系统，用于实现高效率和高可靠性的电源管理。
FDP86363_F085 的替代型号包括 Si7496DP 和 SQM110N10-08L，它们具有相似的电气特性和封装形式，适用于相同类型的应用场景。
