FDP7N50F 时间：2025/8/25 4:16:49 阅读：27

FDP7N50F 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高电流的应用设计，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等电路中。FDP7N50F 具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和出色的热性能，适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：7A
　　最大功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 1.4Ω（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FDP7N50F 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。该器件的 Rds(on) 最大值为 1.4Ω，在 Vgs=10V 的条件下，能够有效减少电流通过时的压降和发热。
　　此外，FDP7N50F 具有较高的耐压能力，漏源电压（Vds）最大可达 500V，使其适用于中高功率的开关应用。该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 7A，能够支持较大的负载电流，满足多种电源设计需求。
　　该器件采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。其最大功耗为 125W，表明其具备较强的热管理能力，适用于高功率密度的设计。
　　FDP7N50F 的栅极驱动电压范围为 ±30V，确保在各种驱动条件下都能可靠工作。同时，其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于各种严苛的工业和汽车环境。

应用

FDP7N50F 主要应用于电源管理系统、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动电路、负载开关以及各种高电压、高电流的功率控制场合。其低导通电阻和高耐压能力使其成为高效能电源转换设备的理想选择。例如，在开关电源中，FDP7N50F 可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换；在电机控制电路中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流控制。
　　由于其良好的热性能和高可靠性，FDP7N50F 也常用于工业自动化设备、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及其他需要高效率和高稳定性的功率电子设备中。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的开关控制，以实现对电池充放电过程的高效管理。