时间：2025/7/9 15:55:15
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FDP7030BL是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效率电源管理应用，例如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等场景。其设计优化了热性能和电气性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：48nC
输入电容(Ciss)：1590pF
输出电容(Coss)：245pF
反向恢复时间(trr)：77ns
工作结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间的同时保持良好的散热性能。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电池管理与配电模块。
6. LED驱动器中的功率控制元件。
FDP7030BN, FDP7030BS
