FDP6688 时间：2025/12/29 15:17:09 阅读：14

FDP6688 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计和制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优良的热性能，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：160A（在 25°C 下）
　　最大漏-源电压（Vds）：30V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 1.75mΩ（在 Vgs=10V）
　　最大功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双散热片封装

特性

FDP6688 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流条件下仍能保持较低的传导损耗，从而提高整体系统的效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通性能和开关速度之间的平衡，减少了开关损耗。
　　其 PowerPAK SO-8 封装形式不仅提供了优良的热管理能力，还具有较小的封装尺寸，非常适合空间受限的应用场景。
　　FDP6688 还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于要求严苛的工业和汽车电子应用。
　　此外，该 MOSFET 在栅极驱动电压为 4.5V 和 10V 时都能有效工作，使其兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
　　由于其高电流能力和良好的热稳定性，FDP6688 也适用于高功率密度设计，如服务器电源、VRM（电压调节模块）、笔记本电脑和台式机的电源管理系统。

应用

FDP6688 广泛应用于各种高功率和高效率的电力电子系统中，包括但不限于：
　　? 同步整流器中的主开关元件，用于提高转换效率；
　　? DC-DC 降压或升压转换器中的主功率开关，适用于服务器、通信设备和工业电源；
　　? 电池管理系统中的负载开关，用于高效控制大电流充放电过程；
　　? 高功率 LED 照明系统中的电流控制开关；
　　? 多相电源设计中的并联功率开关，以实现更高电流输出和负载均衡；
　　? 汽车电子系统中的电机控制、车载充电器和 DC-DC 转换器。