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FDP61N20 发布时间 时间:2024/8/23 14:26:28 查看 阅读:260

UniFET?N通道MOSFET,Fairchild Semiconductor
  UniFET?MOSFET是Fairchild Semiconductor的高电压MOSFET系列。它平面MOSFET中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外,内部栅极-源极ESD二极管让UniFET-II?MOSFET可以耐受超过2000V HBM浪涌应力。
  UniFET?MOSFET适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示屏(FPD)电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。

技术参数

针脚数:3
  漏源极电阻:0.034Ω
  耗散功率:417 W
  阈值电压:5 V
  漏源极电压(Vds):200 V
  上升时间:215 ns
  输入电容(Ciss):2615pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):417 W
  下降时间:70 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):417 W

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.67 mm
  宽度:4.83 mm
  高度:9.4 mm
  封装:TO-220-3

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Rail,Tube
  制造应用:照明,电源管理
  含铅标准:Lead Free

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FDP61N20参数

  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UniFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C41 毫欧 @ 30.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3380pF @ 25V
  • 功率 - 最大417W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件