FDP5800是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用D2PAK封装,适用于高电流、高频开关应用,例如电机驱动、DC-DC转换器、电源管理模块等。其低导通电阻和快速开关特性使其成为效率敏感型应用的理想选择。
FDP5800的设计注重降低传导损耗和开关损耗,同时具备良好的热性能,以确保在高功率环境下的稳定运行崩击穿能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:79A
导通电阻:1.7mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:49nC(典型值)
输入电容:3050pF(典型值)
总耗散功率:240W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
FDP5800具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗。
2. 优化的栅极电荷设计,支持快速开关操作。
3. 较高的电流处理能力,适合高功率应用。
4. 增强的雪崩能量能力,提高系统可靠性。
5. 紧凑的D2PAK封装,便于安装和散热管理。
6. 宽泛的工作温度范围,适应极端环境条件。
7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
FDP5800广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节组件。
6. 高效DC-DC转换器中的开关管。
7. 各类负载切换和保护电路。
IRF540N, FDP5600, STP70NF06L