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FDP5800 发布时间 时间:2025/7/9 15:54:03 查看 阅读:7

FDP5800是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用D2PAK封装,适用于高电流、高频开关应用,例如电机驱动、DC-DC转换器、电源管理模块等。其低导通电阻和快速开关特性使其成为效率敏感型应用的理想选择。
  FDP5800的设计注重降低传导损耗和开关损耗,同时具备良好的热性能,以确保在高功率环境下的稳定运行崩击穿能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:79A
  导通电阻:1.7mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:49nC(典型值)
  输入电容:3050pF(典型值)
  总耗散功率:240W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

FDP5800具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗。
  2. 优化的栅极电荷设计,支持快速开关操作。
  3. 较高的电流处理能力,适合高功率应用。
  4. 增强的雪崩能量能力,提高系统可靠性。
  5. 紧凑的D2PAK封装,便于安装和散热管理。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应极端环境条件。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

FDP5800广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节组件。
  6. 高效DC-DC转换器中的开关管。
  7. 各类负载切换和保护电路。

替代型号

IRF540N, FDP5600, STP70NF06L

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FDP5800参数

  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 80A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs145nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9160pF @ 15V
  • 功率 - 最大242W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件