时间：2025/4/30 20:45:07
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FDP52N20是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）制造。该器件属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的应用场景。
该MOSFET采用TO-220封装形式，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，同时能够承受高达200V的漏源极电压。这些特性使得FDP52N20在高效率和高可靠性的功率转换应用中表现出色。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.34Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：38nC（典型值）
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FDP52N20具有以下显著特性：
1. 低导通电阻设计降低了传导损耗，提高了系统效率。
2. 高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性，使其能够承受短时间内的过压情况。
3. 快速开关速度减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
4. TO-220封装提供了良好的散热性能，便于在高功率场景下使用。
5. 宽工作温度范围确保了器件在极端环境下的可靠性。
FDP52N20适用于多种功率电子应用，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池充电器和逆变器中的功率管理组件。
5. 各种工业控制和汽车电子中的功率切换模块。
IRF540N
STAO3400
