时间：2025/7/18 19:50:52
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FDP4D5N10C 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率密度和高效率的电源应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等。FDP4D5N10C 采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适合在高频率和高温环境下工作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极连续电流（Id）：50A
导通电阻 Rds(on)：最大 4.5mΩ @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
FDP4D5N10C 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有广泛的应用前景。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 Vgs = 10V 时，Rds(on) 最大值仅为 4.5mΩ，这使得该器件在大电流应用中表现尤为出色。
其次，该 MOSFET 采用先进的沟槽技术（Trench Technology），在保持小尺寸的同时实现了高耐压（100V）和高电流能力（50A）。这种设计使其在高频开关应用中具有良好的动态性能，减少了开关损耗。
此外，FDP4D5N10C 采用 TO-263（D2Pak）封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产。该封装还具备较高的功率耗散能力（250W），适合在高温环境中使用。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性和使用寿命。
由于其优异的电气特性和封装优势，FDP4D5N10C 被广泛应用于各种高功率密度系统中，如服务器电源、工业自动化设备、电动工具、电池管理系统（BMS）和新能源汽车相关系统等。
FDP4D5N10C 主要用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的功率电子系统。常见应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、工业自动化控制设备、电动工具和汽车电子系统等。其优异的导通特性和封装散热性能使其特别适合高频、高电流的工作环境。
IRF1405, FDP50N10, FDP50N10A, STP55NF06, FDP4D5N10C0
