类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：4.0A
　　漏源导通电阻（Rds(on)）@4.5V：10.5mΩ（最大）
　　漏源导通电阻（Rds(on)）@2.5V：13.5mΩ（最大）
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-220
　　晶体管数量：1
　　技术：沟槽型 MOSFET

FDP2010DN 采用先进的沟槽技术，使其在低电压应用中表现出色，特别是在需要低导通电阻和高效率的场合。该器件的 Rds(on) 非常低，在 Vgs = 4.5V 时最大为 10.5mΩ，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，FDP2010DN 支持在低至 2.5V 的栅极驱动电压下工作，使其适用于电池供电设备和低电压数字控制器。
　　TO-220 封装提供了良好的热性能，有助于器件在高电流下保持较低的温度，同时具备良好的机械稳定性和易于安装的特点。器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
　　该 MOSFET 具有良好的短路耐受能力，并且在高温环境下仍能保持稳定的性能。这些特性使其非常适合用于需要高可靠性和高效能的电源管理系统，如负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制电路。
　　此外，FDP2010DN 还具有快速开关能力，能够减少开关损耗，从而进一步提高系统的整体效率。这种特性在高频开关应用中尤为重要。

FDP2010DN 主要应用于需要高效能、低导通电阻和高可靠性的电源管理系统。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制、电源管理模块、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源控制部分。由于其低 Rds(on) 和高电流能力，该器件也适用于需要高效能和紧凑设计的便携式电子设备。

Si2302DS, FDS6675, IRF7404, FDMS86101, FDP2010N