时间：2025/12/28 1:33:31
阅读：24
FDP10N60是一款由ON Semiconductor生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面条纹式场截止（Planar Stripe Field-Stop）技术制造。该器件专为高电压、高效率开关应用设计，额定电压为600V，连续漏极电流可达10A（在25°C时），具有低导通电阻和优异的开关特性，适用于多种电源转换系统。FDP10N60广泛应用于AC-DC开关电源、PFC（功率因数校正）电路、逆变器、电机驱动以及照明镇流器等中高功率场景。该器件封装形式为TO-220FP或TO-220，具备良好的热稳定性和机械强度，能够承受较高的结温（最高达150°C），适合在严苛的工业环境中使用。此外，FDP10N60还内置了快速恢复体二极管，增强了其在感性负载切换过程中的可靠性。通过优化栅极电荷与输出电容的乘积（Eo*Co），该MOSFET实现了较低的开关损耗，从而提升整体能效并减少散热需求。由于其出色的性能表现，FDP10N60成为许多600V级功率转换系统的首选器件之一。
型号：FDP10N60
制造商：ON Semiconductor
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）@25°C：10A
脉冲漏极电流（Idm）：40A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.78Ω 最大值
导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs 典型值：0.65Ω
阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 5.0V
栅极电荷（Qg）：60nC 典型值
输入电容（Ciss）：1100pF @ 25V Vds
输出电容（Coss）：390pF @ 25V Vds
反向恢复时间（trr）：47ns
最大工作结温（Tj）：150°C
封装类型：TO-220FP
FDP10N60具备多项关键特性，使其在同类600V N沟道MOSFET中表现出色。首先，其采用的先进平面场截止工艺显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系，使得器件在保持较低Rds(on)的同时仍具备优良的开关速度。这不仅提高了电源系统的整体效率，也减少了对散热器的依赖，有助于缩小产品体积。
其次，该器件具有非常低的栅极电荷（Qg），典型值仅为60nC，这意味着驱动电路所需的能量更少，尤其适合高频开关应用，如PFC升压变换器或LLC谐振转换器。低Qg还降低了驱动IC的负担，提升了系统稳定性。同时，其输入和输出电容较小，进一步减少了开关过程中的动态损耗，尤其是在硬开关拓扑结构中效果明显。
第三，FDP10N60具备较强的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压条件下安全运行，这对于防止雷击或电网波动引起的损坏至关重要。这种坚固性使其非常适合用于工业电源、太阳能逆变器等对可靠性要求极高的场合。
此外，集成的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=47ns），有效抑制了反向恢复电流尖峰，降低了电磁干扰（EMI）风险，并避免了交叉导通现象，提升了桥式电路的工作安全性。
最后，TO-220FP封装提供了良好的热传导路径，便于安装散热片，确保长时间高负载运行下的热稳定性。综合来看，FDP10N60在性能、可靠性和成本之间达到了良好平衡，是中高端功率电子设计中的理想选择。
FDP10N60广泛应用于各类需要高效、高压开关能力的电力电子系统中。最常见的应用场景是AC-DC开关模式电源（SMPS），特别是在反激式、正激式和双管正激拓扑中作为主开关管使用，适用于适配器、充电器、服务器电源等设备。
在功率因数校正（PFC）电路中，FDP10N60常被用作升压斩波器的开关元件，其低导通电阻和快速开关特性有助于实现高效率（>95%）和高功率因数（>0.9），满足能源之星和IEC 61000-3-2等国际能效标准。
此外，它也被用于逆变器系统，例如太阳能微型逆变器、UPS不间断电源和变频空调中的DC-AC转换阶段，承担直流母线侧的高频切换任务。其600V耐压等级正好匹配400V左右的直流母线电压，具备足够的安全裕度。
在电机控制领域，FDP10N60可用于中小功率的BLDC或PMSM驱动器H桥电路中，尤其是在单相或半桥配置下提供高效的电压斩波功能。虽然不如专门的逻辑电平MOSFET响应快，但其高耐压和大电流承载能力使其适用于特定工业控制模块。
照明应用方面，该器件可用于电子镇流器或LED驱动电源中，特别是在隔离式反激或SEPIC拓扑中实现恒流输出。其稳定的高温性能保证了灯具在密闭环境下的长期可靠运行。
总之，FDP10N60凭借其稳健的设计和宽泛的应用适应性，已成为工业、消费类及绿色能源领域中不可或缺的核心功率器件之一。
FQP10N60C,STP10NK60ZFP,IRFGB30B60KD}}
