时间：2025/7/9 2:26:41
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FDP085N10A是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率转换电路中。
该MOSFET的最大漏源电压为100V，适用于中高压应用场景，并且其封装形式为TO-220FP，适合散热需求较高的应用场合。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：85mΩ
栅极电荷：13nC
开关时间：典型值t_on=17ns，t_off=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
FDP085N10A具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，非常适合高频功率转换应用。
3. 良好的雪崩能力和耐用性，提升了器件在异常情况下的可靠性。
4. 紧凑的TO-220FP封装设计，方便安装与散热管理。
5. 支持较宽的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准，满足环保要求。
这款MOSFET的主要应用领域包括但不限于以下方面：
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级组件。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 电池管理系统中的充放电控制单元。
6. 其他需要高效功率转换和开关操作的场景。
FDP087N10A, IRF840, STP80NF10
