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FDP050 发布时间 时间:2025/8/24 23:58:29 查看 阅读:17

FDP050 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件以其高效的导通和开关特性著称,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。FDP050 采用 TO-220 封装,具备良好的散热性能,适用于中高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):50A
  漏极-源极电压(Vds):55V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.018Ω(最大)
  功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-220

特性

FDP050 的主要特性包括低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。其高电流承载能力(50A)使其适用于大功率负载的控制。此外,FDP050 具有较高的热稳定性,能够在高功耗环境下保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),便于与不同类型的驱动电路匹配,提高了设计的灵活性。
  另一个关键特性是其耐用性和可靠性,FDP050 设计用于工业级应用,能够在恶劣的工作条件下长时间运行。TO-220 封装提供了良好的散热性能,有助于降低温度对器件性能的影响,从而延长使用寿命。同时,该器件具有较高的短路耐受能力,可在突发故障情况下提供一定程度的保护,避免立即损坏。

应用

FDP050 常见于各种电源管理与功率控制电路中,典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路。在服务器电源、工业自动化设备和电信基础设施中,FDP050 被广泛用于高效能开关应用。由于其低导通电阻和高电流能力,它也适用于电池供电系统中的高效功率管理,如电动工具、无人机和便携式储能设备。此外,FDP050 还可用于电源冗余设计和热插拔系统,以实现高可用性和高可靠性的电源架构。

替代型号

[
   "IRFZ44N",
   "FDPF050",
   "FDPF050N",
   "FDPF050NZ"
  ]

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