时间：2025/8/24 23:58:29
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FDP050 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件以其高效的导通和开关特性著称，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。FDP050 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：50A
漏极-源极电压（Vds）：55V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（最大）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220
FDP050 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。其高电流承载能力（50A）使其适用于大功率负载的控制。此外，FDP050 具有较高的热稳定性，能够在高功耗环境下保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与不同类型的驱动电路匹配，提高了设计的灵活性。
另一个关键特性是其耐用性和可靠性，FDP050 设计用于工业级应用，能够在恶劣的工作条件下长时间运行。TO-220 封装提供了良好的散热性能，有助于降低温度对器件性能的影响，从而延长使用寿命。同时，该器件具有较高的短路耐受能力，可在突发故障情况下提供一定程度的保护，避免立即损坏。
FDP050 常见于各种电源管理与功率控制电路中，典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路。在服务器电源、工业自动化设备和电信基础设施中，FDP050 被广泛用于高效能开关应用。由于其低导通电阻和高电流能力，它也适用于电池供电系统中的高效功率管理，如电动工具、无人机和便携式储能设备。此外，FDP050 还可用于电源冗余设计和热插拔系统，以实现高可用性和高可靠性的电源架构。
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"IRFZ44N",
"FDPF050",
"FDPF050N",
"FDPF050NZ"
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