时间：2025/8/25 2:40:30
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FDP047NA08A0是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理以及电机控制等多种场景。FDP047NA08A0采用TO-252（DPAK）封装形式，便于在印刷电路板（PCB）上安装，并具备良好的散热能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：47A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为7.8mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
FDP047NA08A0 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特点。其最大漏源电压为80V，适用于中高压功率转换应用。该器件的导通电阻非常低，在VGS为10V时最大为7.8mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。此外，该MOSFET支持高达47A的连续漏极电流，能够承受较高的负载需求。
器件的TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的热管理能力，还简化了在PCB上的布局和焊接过程。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的10V和12V驱动电路，确保了快速的开关性能并减少了开关损耗。此外，FDP047NA08A0具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了器件在严苛工作条件下的可靠性。
由于其高电流能力和低导通电阻，FDP047NA08A0适用于多种高效率电源系统，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及工业控制设备。该MOSFET还具有良好的热稳定性，可在高环境温度下稳定运行，适用于对可靠性和耐久性要求较高的应用场景。
FDP047NA08A0 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、电池充电器、工业自动化设备、服务器电源系统、电信设备、UPS（不间断电源）、LED照明驱动器以及各种高功率电子系统。该器件特别适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的设计，是现代电源管理系统中的关键组件。
FDP047N08A0, FDP047N08A6, FDP047N08A6A, FDP047N08AL, FDMS8008A
