时间：2025/12/29 14:13:02
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FDP047AN是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件专为高电流和高效率应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。FDP047AN采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件采用TO-252（D-Pak）封装，便于散热和在PCB上的安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值）
最大功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（D-Pak）
FDP047AN具有多项优异的电气和热性能，适合高功率密度和高效率的应用需求。首先，其导通电阻非常低（典型值为4.7mΩ），可显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。这对于需要大电流的应用（如电源转换器和电池管理系统）尤为重要。
其次，FDP047AN的最大漏极电流可达75A，适用于高负载电流的场合。该器件的漏源电压为30V，能够满足低压大电流应用的需要，例如DC-DC降压变换器和负载开关电路。
此外，该MOSFET具有±20V的栅源电压耐受能力，使其在高栅极驱动电压环境下仍能保持稳定运行。这一特性增强了其在高频开关应用中的可靠性。
在封装方面，FDP047AN采用TO-252（D-Pak）封装形式，具备良好的热管理和散热性能，适合在高功率密度设计中使用。该封装还便于焊接和PCB布局，提升了制造效率和产品可靠性。
最后，FDP047AN的工作温度范围宽，从-55°C到175°C，适用于各种严苛的工业和汽车电子环境。
FDP047AN广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制和电池供电设备等。在电源管理方面，FDP047AN可用于高效降压变换器（Buck Converter）和升压变换器（Boost Converter），其低导通电阻和高电流能力使其成为理想选择。
在电机控制应用中，该器件可用于H桥驱动电路，以控制直流电机或步进电机的方向和速度。此外，FDP047AN还适用于负载开关电路，用于控制高电流负载的开启与关闭，如LED照明系统和工业自动化设备。
由于其优异的热性能和封装设计，FDP047AN也常见于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等。这些应用都需要高可靠性和高效率的功率器件来确保系统的稳定运行。
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"FDP047N",
"FDBL047AN",
"FDMS7610",
"IRF1405"
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