时间：2025/7/12 19:43:10
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FDN86246是由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计，能够以较低的栅极驱动电压开启，非常适合用于负载开关、同步整流和DC-DC转换器等应用。其小尺寸封装（SOT-23）使其在空间受限的设计中具有优势。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
栅极阈值电压：1.2V~2.2V
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ@4.5V，110mΩ@2.5V
总功耗：440mW
工作结温范围：-55℃~150℃
FDN86246是一款低电压、低导通电阻的MOSFET。
它具备以下特点：
1. 低导通电阻，在典型工作条件下提供高效的电流传输。
2. 极低的栅极电荷，可以实现快速开关，减少开关损耗。
3. 小型SOT-23封装，适合便携式设备和高密度电路板布局。
4. 支持低至1.8V的逻辑电平驱动，便于与现代微控制器和其他数字IC接口使用。
5. 高可靠性设计，能够在恶劣环境下保持稳定性能。
6. 宽温度范围操作，适用于各种工业及消费类电子应用。
FDN86246因其高性能和紧凑的封装形式，广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑。
2. 同步整流电路，特别是在非隔离式DC-DC转换器中作为下管开关。
3. 电池供电设备中的电源管理单元。
4. 电机驱动和小型继电器控制。
5. LED驱动器中的开关元件。
6. 数据通信设备中的信号切换。
7. 工业自动化系统中的小型电磁阀控制。
AO3400
IRLML6401
FDP5150
