FDN6923是一款双N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),由安森美半导体(ON Semiconductor)生产。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具备低导通电阻和高电流承载能力,适用于各种高性能电源管理应用。FDN6923采用SOT-23封装,适合空间受限的设计。其双MOSFET结构使其能够在单个封装中提供两个独立的晶体管,广泛用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统和电源管理电路。
类型:N沟道MOSFET(双)
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):4.4A(每个晶体管)
导通电阻(Rds(on)):23mΩ(典型值,Vgs=10V)
功率耗散:1.5W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOT-23
FDN6923采用先进的Trench沟槽MOSFET技术,提供了极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。这种低Rds(on)特性使其非常适合用于高电流负载的应用,例如同步整流、DC-DC转换器和电池供电设备中的电源开关。该器件的双晶体管结构允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET,有助于减少PCB面积并简化设计。
此外,FDN6923具有较高的栅极击穿电压容限(±20V),增强了器件在高噪声环境下的可靠性和抗干扰能力。其SOT-23封装形式提供了良好的热性能,确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。该器件还具备快速开关特性,降低了开关损耗,从而进一步提高效率并减少发热。
由于其高集成度和紧凑设计,FDN6923非常适合用于便携式电子设备、移动电源、智能电池管理、LED驱动器以及各种电源管理模块。其优异的性能和可靠性使其成为消费电子、工业控制和汽车电子应用中的理想选择。
FDN6923适用于多种电源管理应用场景,包括但不限于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电源分配电路、LED驱动器以及各种便携式电子产品中的功率控制模块。由于其高电流能力和低导通电阻,特别适合用于需要高效率和小型化设计的电源系统。
FDN6923S, FDS6923A, NDS6923A, AO6923