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FDN5632N 发布时间 时间:2025/7/3 23:29:31 查看 阅读:5

FDN5632N是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理、负载开关和信号切换应用。它通常用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.1A
  导通电阻(典型值):0.09Ω
  栅极电荷(典型值):18nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装类型:SOT-23

特性

FDN5632N的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗。
  2. 高开关速度,适合高频应用。
  3. 小尺寸SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  5. 内置反向隔离二极管,防止寄生导通问题。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电路设计中。

应用

FDN5632N广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源和DC-DC转换器中的同步整流。
  2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  3. 计算机外设及消费类电子产品中的信号切换。
  4. 电池管理系统中的保护电路。
  5. 工业自动化系统中的小型继电器替代方案。
  6. LED驱动和其他低压、小电流控制场合。

替代型号

AO3400A, IRLML6402, FDN340P

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