时间：2025/4/28 17:06:39
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FDN5618P-NL 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沱道沟增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制程工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池保护等场景。
FDN5618P-NL 的封装形式为 SOT-23-3L，这种小型化封装非常适合对空间要求较高的设计。其卓越的电气性能和可靠性使其成为众多电路设计中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.1A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，@ Vgs=4.5V）
栅极电荷：1.5nC（典型值）
输入电容：160pF（典型值）
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 小尺寸 SOT-23-3L 封装，适合紧凑型设计。
3. 快速开关速度，能够有效降低开关损耗。
4. 高静电防护能力，提升了器件在实际应用中的稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的法规要求。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种环境条件下的应用需求。
1. 便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电池保护电路。
4. 开关电源中的次级侧同步整流。
5. 通信设备中的信号切换。
6. 消费类电子产品中的电源管理模块。
FDN340P, FDN345P, BSS138
