FDN5618 时间：2025/12/29 14:03:38 阅读：18

FDN5618 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低电压应用而设计，适用于电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统等。FDN5618 采用小型的 5-Pin TSOP 封装，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够在有限的空间和功率预算下提供出色的性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：600mA
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS=4.5V
　　导通阈值电压（VGS(th)）：1.1V @ 250μA
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：5-Pin TSOP

特性

FDN5618 具备多项优良特性，使其在低功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下功耗最小化，从而提高了系统的整体效率。在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻仅为 0.45Ω，这使得该器件非常适合用于电池供电设备中的功率控制。
　　其次，FDN5618 的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，这在高频开关应用中尤为重要，例如 DC-DC 转换器和同步整流器电路。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，具有较强的抗过压能力，增强了在不同电压环境下工作的稳定性。
　　FDN5618 的导通阈值电压较低，约为 1.1V，这使其能够在较低的控制电压下正常工作，适用于低电压数字控制电路，如由微控制器直接驱动的场合。
　　封装方面，该器件采用 5-Pin TSOP 封装，体积小巧，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。同时，该封装提供了良好的散热性能，有助于维持器件在持续工作状态下的稳定运行。
　　最后，FDN5618 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于广泛的工业和消费级应用场景。

应用

FDN5618 主要应用于以下领域：
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，FDN5618 可作为负载开关或电源管理模块中的关键元件，实现高效的功率控制。
　　在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电管理、电池保护电路以及多电池切换控制。
　　在 DC-DC 转换器和升压/降压调节器中，FDN5618 凭借其低导通电阻和快速开关特性，可提高转换效率并减少热量产生。
　　在电机驱动和传感器控制电路中，该 MOSFET 可用于 PWM 控制和电源切换，提供稳定可靠的功率输出。
　　此外，FDN5618 也可用于 LED 照明控制、电源适配器以及各种低电压开关电路中。