FDN537N-NL 时间：2025/6/21 2:35:43 阅读：5

FDN537N-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和信号切换应用场景。它通常被用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等应用中。
　　FDN537N-NL以其优异的电气性能和可靠性而著称，特别适合需要高效能和低功耗的应用环境。

参数

漏源极电压：30V
　　连续漏极电流：2.9A
　　导通电阻：65mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：4nC（最大值）
　　开关时间：ton=15ns，toff=12ns
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗。
　　2. 快速开关能力，有助于提高系统效率并降低电磁干扰。
　　3. 小型SOT-23封装，便于在空间受限的设计中使用。
　　4. 较宽的工作温度范围，确保其在各种环境下可靠运行。
　　5. 高雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的鲁棒性。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
　　2. 便携式设备中的负载开关。
　　3. DC-DC转换器和POL（Point of Load）调节器。
　　4. 电池保护和管理系统。
　　5. 低电压电机驱动控制。
　　6. 数据通信接口保护和切换电路。
　　7. 各种消费类电子产品中的信号路径切换功能。