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FDN371N-NL 发布时间 时间:2025/5/22 23:30:17 查看 阅读:20

FDN371N-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件采用SOT-23封装形式,适用于低电压和低功耗应用场合。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及出色的电流承载能力。这款MOSFET通常被用于便携式设备、电池管理系统、负载开关以及其他需要高效功率控制的应用中。
  FDN371N-NL具有较低的栅极电荷和输入电容,可以实现更高的工作效率,并且由于其小尺寸封装,在设计紧凑型电路时非常理想。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:490mA
  脉冲漏极电流:1.5A
  导通电阻(Rds(on)):1.8Ω(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:3nC
  总电容:11pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 小型SOT-23封装,适合空间受限的应用。
  2. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关性能,可满足高频工作的需求。
  4. 高电流密度设计,能够在有限的空间内提供较大的电流输出。
  5. 热稳定性良好,能够承受较宽的工作温度范围。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅制造工艺。

应用

1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
  2. 电池供电系统的保护电路。
  3. LED驱动器及小型DC-DC转换器。
  4. 数据通信设备中的信号切换。
  5. 电机驱动与控制。
  6. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。

替代型号

BSS138, FDN340P, PSMN022-30PL

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