时间：2025/5/22 23:30:17
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FDN371N-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用SOT-23封装形式，适用于低电压和低功耗应用场合。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及出色的电流承载能力。这款MOSFET通常被用于便携式设备、电池管理系统、负载开关以及其他需要高效功率控制的应用中。
FDN371N-NL具有较低的栅极电荷和输入电容，可以实现更高的工作效率，并且由于其小尺寸封装，在设计紧凑型电路时非常理想。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：490mA
脉冲漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3nC
总电容：11pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 小型SOT-23封装，适合空间受限的应用。
2. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，可满足高频工作的需求。
4. 高电流密度设计，能够在有限的空间内提供较大的电流输出。
5. 热稳定性良好，能够承受较宽的工作温度范围。
6. 符合RoHS标准，环保无铅制造工艺。
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池供电系统的保护电路。
3. LED驱动器及小型DC-DC转换器。
4. 数据通信设备中的信号切换。
5. 电机驱动与控制。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。
BSS138, FDN340P, PSMN022-30PL
