FDN371N-NL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件采用SOT-23封装形式,适用于低电压和低功耗应用场合。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及出色的电流承载能力。这款MOSFET通常被用于便携式设备、电池管理系统、负载开关以及其他需要高效功率控制的应用中。
FDN371N-NL具有较低的栅极电荷和输入电容,可以实现更高的工作效率,并且由于其小尺寸封装,在设计紧凑型电路时非常理想。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:490mA
脉冲漏极电流:1.5A
导通电阻(Rds(on)):1.8Ω(在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:3nC
总电容:11pF
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 小型SOT-23封装,适合空间受限的应用。
2. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 快速开关性能,可满足高频工作的需求。
4. 高电流密度设计,能够在有限的空间内提供较大的电流输出。
5. 热稳定性良好,能够承受较宽的工作温度范围。
6. 符合RoHS标准,环保无铅制造工艺。
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池供电系统的保护电路。
3. LED驱动器及小型DC-DC转换器。
4. 数据通信设备中的信号切换。
5. 电机驱动与控制。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。
BSS138, FDN340P, PSMN022-30PL