FDN358P-NL/358 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件广泛用于低频、低噪声放大器和开关电路中,具有良好的性能和稳定性。FDN358P-NL/358 采用SOT-23封装,适用于消费电子、工业控制、通信设备等多种应用场景。
类型:PNP型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):30V
集电极-基极电压(VCBO):30V
发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
电流增益(hFE):110 至 800(取决于工作电流)
频率响应:250MHz(典型值)
FDN358P-NL/358 拥有良好的电流增益线性度和高频响应能力,适用于各种低噪声放大和开关控制场合。其主要特性包括:
1. **高增益性能**:在不同工作电流下,该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从110到800,使其适用于多种放大电路设计。
2. **高频响应**:典型频率响应为250MHz,适合用于射频和高频信号放大应用。
3. **低噪声特性**:作为一款低噪声晶体管,FDN358P-NL/358 特别适用于音频放大器和其他对噪声敏感的电路。
4. **紧凑型封装**:采用SOT-23封装,体积小,便于在高密度PCB设计中使用。
5. **稳定性和可靠性**:该晶体管具有良好的温度稳定性和长期工作可靠性,可在恶劣环境下稳定运行。
6. **多功能性**:FDN358P-NL/358 不仅用于信号放大,还可用于开关电路、稳压电路和逻辑电平转换等应用场景。
FDN358P-NL/358 由于其优异的性能和多用途性,广泛应用于多个领域,包括:
1. **音频放大器**:作为前置放大器或低噪声放大器,用于音响设备、麦克风前置放大电路等。
2. **射频(RF)放大**:在无线通信系统中,用于射频信号的低噪声放大。
3. **开关电路**:用于控制LED、继电器、小型电机等负载的开关控制电路。
4. **电压调节和转换**:在电源管理电路中,作为稳压器或DC-DC转换器的控制元件。
5. **逻辑接口电路**:用于不同逻辑电平之间的信号转换和隔离。
6. **工业控制**:在工业自动化设备中,用于传感器信号放大、执行器控制等。
BC847B, 2N3906, BC807, MMBT3906, PN2907