FDN355A-NL 时间：2025/5/21 20:51:12 阅读：6

FDN355A-NL 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，广泛应用于电源管理、负载切换和信号调节等电路中。
　　该 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，适合表面贴装工艺，能够节省空间并提高组装效率。其设计注重高效能和可靠性，在便携式设备、消费类电子产品和其他低功耗应用中表现优异。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±12V
　　连续漏极电流：480mA
　　导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω（典型值，Vgs=4.5V）
　　总功耗：360mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

FDN355A-NL 具有以下特点：
　　1. 极低的导通电阻，可降低功率损耗并提升系统效率。
　　2. 快速开关特性，支持高频操作。
　　3. 高静电放电 (ESD) 耐受能力，增强器件的稳健性。
　　4. 小巧的 SOT-23 封装，便于在紧凑型设计中使用。
　　5. 广泛的工作温度范围，适应多种环境条件。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。

应用

这款 MOSFET 常用于以下领域：
　　1. 移动设备中的负载开关。
　　2. 电池供电设备的电源管理。
　　3. 数据通信接口保护。
　　4. 热插拔电路控制。
　　5. 低噪声放大器的开关功能。
　　6. 各种消费类电子产品的信号路径调节。
　　7. 小功率 DC-DC 转换器中的同步整流元件。