您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDN342P

FDN342P 发布时间 时间:2025/7/9 9:20:54 查看 阅读:6

FDN342P是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小尺寸SOT-23封装,适用于各种低电压、低功耗应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为便携式电子设备、电池供电产品以及电源管理电路的理想选择。
  FDN342P具有较高的电流处理能力和较低的漏源导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏极电流:1A
  漏源击穿电压:30V
  栅极阈值电压:1.5V~3V
  导通电阻:0.9Ω(典型值,Vgs=10V)
  总功耗:400mW
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

1. 低导通电阻设计,减少功率损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 小型化SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 宽工作温度范围,适应多种环境条件。
  5. 高可靠性和稳定性,确保长时间运行。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

1. 开关电源中的负载切换。
  2. 电池保护电路中的过流保护。
  3. 电机驱动和控制。
  4. 信号电平转换。
  5. 消费类电子产品中的功率管理模块。
  6. 便携式设备中的电源开关功能。

替代型号

IRLML6402, AO3400, FDN342N

FDN342P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FDN342P资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • FDN342P
  • P-Channel 2.5V Specified PowerTrench...
  • FAIRCHILD
  • 阅览

FDN342P参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds635pF @ 10V
  • 功率 - 最大460mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDN342P-NDFDN342PTR