时间：2025/7/9 9:20:54
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FDN342P是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸SOT-23封装，适用于各种低电压、低功耗应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为便携式电子设备、电池供电产品以及电源管理电路的理想选择。
FDN342P具有较高的电流处理能力和较低的漏源导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏极电流：1A
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压：1.5V~3V
导通电阻：0.9Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗：400mW
工作温度范围：-55℃~150℃
1. 低导通电阻设计，减少功率损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 小型化SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
5. 高可靠性和稳定性，确保长时间运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源中的负载切换。
2. 电池保护电路中的过流保护。
3. 电机驱动和控制。
4. 信号电平转换。
5. 消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 便携式设备中的电源开关功能。
IRLML6402, AO3400, FDN342N
