时间：2025/6/22 12:02:12
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FDN338P是一种高性能的P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件适用于多种低电压应用场合，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。FDN338P通常用于电源管理、负载开关、电机驱动以及便携式设备中的信号切换。
FDN338P采用小型化的SOT-23封装形式，这使其非常适合空间受限的设计场景。其出色的电气特性和可靠性使它成为许多电路设计中的理想选择。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：-0.17A
脉冲漏极电流：-0.4A
导通电阻：1.6Ω（典型值，当Vgs=-4.5V时）
栅极电荷：4nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间12ns，上升时间9ns；关断延迟时间16ns，下降时间10ns
1. 高效的P沟道MOSFET设计，提供低导通电阻以减少功率损耗。
2. 快速开关能力使得该器件能够支持高频应用，从而提高系统效率。
3. 小型化SOT-23封装，节省PCB板上的空间并简化布局设计。
4. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内保持一致的性能表现。
5. 完全符合RoHS标准，绿色环保且无铅制造工艺。
6. 内置静电保护功能，提高了器件在实际使用中的可靠性和抗干扰能力。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和负载开关。
2. 数据通信及消费类电子产品的电源管理模块。
3. 手持设备如智能手机、平板电脑等的电池保护与充电管理电路。
4. 各种逻辑电平兼容的应用，例如信号切换和线路驱动。
5. 小型电机控制和音频放大器输出级开关。
6. 多通道电源分配网络中的隔离和保护功能实现。
FDP0274P, BSS138
