时间：2025/5/20 22:06:32
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FDN337N-G 是一款由 Fairchild（ 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装（SOT-23），具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于各种低功率开关应用。
FDN337N-G 的主要特点是其优异的性能和高可靠性，能够满足消费电子、通信设备及工业控制等领域的需求。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：0.44A
导通电阻：1.5Ω
总功耗：400mW
工作温度范围：-55℃至150℃
1. FDN337N-G 具有非常低的导通电阻，在典型条件下可达到 1.5Ω，从而降低了导通损耗。
2. 该器件的栅极电荷较小，有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗。
3. 封装形式为 SOT-23，体积小且易于安装在印刷电路板上。
4. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +150℃），能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
FDN337N-G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 各种便携式电子产品的电源管理模块。
5. 音频放大器中的保护电路。
6. 数据通信接口中的信号切换。
FDN337N, BSS138, 2N7000
