时间：2025/5/10 10:27:35
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FDN336P-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT-23 封装形式。该器件适用于各种低电压、高效率的开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统性能。
FDN336P-NL 广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域中的负载开关、DC-DC 转换器、电池管理以及便携式设备等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω（在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：1.8nC
输入电容：95pF
总功耗：340mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FDN336P-NL 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高度集成的小型封装（SOT-23），节省电路板空间。
4. 提供优异的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
5. 具备良好的电气性能，确保在多种复杂条件下都能保持稳定表现。
6. 支持高密度表面贴装技术，便于自动化生产和组装。
这款功率 MOSFET 可用于以下典型应用：
1. 负载开关设计，如移动电话、平板电脑和其他便携式电子产品中的电源管理。
2. DC-DC 转换器的核心元件，用以实现高效的电压转换。
3. 电池保护与管理电路，保障电池的安全充放电过程。
4. 各种低电压电机驱动器，提供精确的电流控制。
5. 开关电源（SMPS）以及其他需要高性能开关的应用场合。
FDN337P, FDN340P
