时间：2025/8/24 8:15:19
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FDN335N-NL/335 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理系统中。其封装形式为8-SOIC（表面贴装），适合需要紧凑布局和良好热性能的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.7A（在25°C）
功耗（Pd）：1.4W
导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：8-SOIC
FDN335N-NL/335具有低导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其快速开关特性使其适用于高频开关电源应用。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，兼容多种控制器和驱动电路。其SOIC封装形式便于自动化生产和表面贴装工艺，适合高密度PCB设计。
此外，FDN335N-NL/335符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求。其内部结构优化设计减少了寄生电容，提高了高频性能，降低了开关损耗。
FDN335N-NL/335广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理中的DC-DC转换器、同步整流器、负载开关控制、电机驱动电路、LED照明电源、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率开关部分。由于其良好的热性能和紧凑封装，特别适合空间受限且要求高效率的设计场景。
FDN340N, FDS6675, Si4446DY, IRF7404
