FDN327N-NL 时间：2025/5/7 11:00:54 阅读：22

FDN327N-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT-23 小型封装。它广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的电路中，例如电源管理、负载开关、便携式设备中的电池保护等场景。
　　该器件以其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力著称，同时具备出色的热稳定性和可靠性。其设计旨在为工程师提供一种高性价比的解决方案，用于优化电路性能。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±12V
　　连续漏极电流：570mA
　　导通电阻（Rds(on)）：1.9Ω（在 Vgs=4.5V 时）
　　总功耗：360mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：SOT-23

特性

FDN327N-NL 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻确保了高效的电能转换，从而减少发热并延长设备寿命。
　　2. 高速开关性能使得它非常适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器。
　　3. 小型 SOT-23 封装使其成为空间受限应用的理想选择。
　　4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 到 +150°C) 确保其能够在极端环境下稳定运行。
　　5. 内部具备 ESD 保护设计，提高了器件的鲁棒性。

应用

FDN327N-NL 的典型应用场景包括：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和开关元件。
　　2. 便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　3. 电池保护电路，用于防止过充或过放。
　　4. 各类消费类电子产品中的信号切换和逻辑电平转换。
　　5. 低压电机控制和其他需要小信号处理的场合。