FDN327N-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 SOT-23 小型封装。它广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的电路中,例如电源管理、负载开关、便携式设备中的电池保护等场景。
该器件以其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力著称,同时具备出色的热稳定性和可靠性。其设计旨在为工程师提供一种高性价比的解决方案,用于优化电路性能。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:570mA
导通电阻(Rds(on)):1.9Ω(在 Vgs=4.5V 时)
总功耗:360mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-23
FDN327N-NL 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻确保了高效的电能转换,从而减少发热并延长设备寿命。
2. 高速开关性能使得它非常适合高频开关应用,例如 DC-DC 转换器。
3. 小型 SOT-23 封装使其成为空间受限应用的理想选择。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 到 +150°C) 确保其能够在极端环境下稳定运行。
5. 内部具备 ESD 保护设计,提高了器件的鲁棒性。
FDN327N-NL 的典型应用场景包括:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和开关元件。
2. 便携式电子设备中的负载开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
3. 电池保护电路,用于防止过充或过放。
4. 各类消费类电子产品中的信号切换和逻辑电平转换。
5. 低压电机控制和其他需要小信号处理的场合。
BSS138
AO3400
FDC657N