时间：2025/5/12 20:40:22
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FDN308P 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型化的 SOT-23 封装形式。该器件广泛应用于各种低电压、小信号和负载开关电路中，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关速度，非常适合便携式设备和其他对空间和效率有严格要求的应用场景。
FDN308P 的设计目标是提供高效且可靠的功率控制性能，在消费电子、通信设备以及工业应用中表现优异。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：160mA
脉冲漏极电流：1.2A
导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（典型值，Vgs=10V时）
功耗：410mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FDN308P 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用。
3. 高静电防护能力（HBM ≥ 2000V），能够有效保护器件免受静电损害。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
5. 小巧的 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
FDN308P 常用于以下应用场景：
1. 电池供电的便携式设备中的负载开关。
2. 消费类电子产品中的电源管理模块。
3. 工业控制系统的低侧开关。
4. 数据通信设备中的信号切换。
5. LED 驱动器中的功率控制元件。
6. 各种需要小型化和高效率的电子电路中。
BSS138
AO3400
2SK3175
