时间：2025/6/12 18:37:51
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FDN308P-NL 是一款 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件主要用于低电压、高效率开关应用，具有较低的导通电阻和快速开关速度，适合在便携式设备、电池管理系统、DC-DC 转换器以及负载开关等场景中使用。
FDN308P-NL 的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，便于在紧凑型设计中使用。其逻辑电平栅极驱动特性允许直接与低电压微控制器或数字信号处理器接口，从而简化电路设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：450mA
脉冲漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：2.8Ω（在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：4nC
总电容：35pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FDN308P-NL 具有以下主要特性：
1. 低导通电阻，能够减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
3. 逻辑电平驱动，支持低电压控制信号，无需额外的驱动电路。
4. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
5. 高可靠性，在广泛的工业和消费类应用中表现出色。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子制造需求。
FDN308P-NL 主要应用于以下领域：
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池供电系统的保护和管理。
3. DC-DC 转换器中的同步整流开关。
4. LED 驱动器中的开关元件。
5. 通信设备中的电源管理模块。
6. 消费类电子产品中的信号切换和功率控制。
FDN307P, FDN327P, BSS138
