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FDN302P 发布时间 时间:2023/3/2 14:09:21 查看 阅读:853

    制造商:FairchildSemiconductor

    产品种类:MOSFET小信号

    RoHS:是

 

目录

概述

    制造商:FairchildSemiconductor

    产品种类:MOSFET小信号

    RoHS:是

    配置:Single

    晶体管极性:P-Channel

    电阻汲极/源极RDS(导通):0.055Ohms

    正向跨导gFS(最大值/最小值):10S

    汲极/源极击穿电压:-20V

    闸/源击穿电压:+/-12V

    漏极连续电流:2.4A

    功率耗散:0.5W

    最大工作温度:+150C

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:SuperSOT

    封装:Reel

    最小工作温度:-55C

    StandardPackQty:3000

    零件号别名:FDN302P_NL


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FDN302P参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 2.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds882pF @ 10V
  • 功率 - 最大460mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDN302P-NDQ1148322