FDN143 时间：2025/11/8 3:35:15 阅读：12

FDN143是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23小型表面贴装封装，适用于低电压、低功耗的应用场景。该器件以其小尺寸、高开关速度和低导通电阻特性，广泛应用于便携式电子设备、电源管理开关、信号切换以及逻辑电平转换等电路中。FDN143设计用于在低栅极驱动电压下工作，支持与低压控制逻辑（如3.3V或2.5V系统）直接接口，无需额外的电平转换电路。其主要优势在于能够在有限的空间内实现高效的功率控制，同时降低系统整体功耗。此外，该器件符合RoHS环保标准，具备无铅和无卤素的环保特性，适用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品。
　　作为一款通用型MOSFET，FDN143在电路设计中常被用作负载开关、LED驱动控制、电池供电设备中的电源通断控制等。其SOT-23封装便于手工焊接和自动化贴片生产，适合大批量制造。由于其参数性能稳定且成本较低，FDN143成为许多嵌入式系统和微型电子模块中的首选开关元件之一。

参数

型号：FDN143
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：220mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：880mA
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω @ Vgs = 10V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω @ Vgs = 4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.1V，最大值1.8V
　　输入电容（Ciss）：17pF @ Vds=15V
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：7ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境（RθJA）：450°C/W

特性

FDN143 N沟道MOSFET具备优异的开关特性和低功耗表现，适用于多种低电压数字与模拟开关应用。其核心优势之一是低阈值电压，典型值仅为1.1V，最大不超过1.8V，这意味着它可以在非常低的栅极驱动电压下实现有效导通，特别适合于由微控制器I/O口直接驱动的场合，例如在3.3V甚至更低电压的系统中作为开关使用。这种低Vgs(th)特性使得FDN143能够在节能模式下快速响应控制信号，从而提升系统的能效表现。此外，该器件在Vgs为4.5V时的导通电阻仅为0.95Ω，在10V时进一步降低至0.65Ω，这表明其在不同驱动条件下均能保持较低的导通损耗，减少发热并提高电源效率。
　　FDN143采用SOT-23封装，体积小巧，仅占PCB上极少空间，非常适合高密度布局的便携式设备，如智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块和小型传感器节点。尽管封装较小，但其热性能经过优化设计，能够在适当的散热条件下稳定工作。器件的最大漏源电压为30V，允许其在多种直流电源环境中安全运行，包括常见的12V和24V工业控制系统中的信号切换任务。其连续漏极电流可达220mA（在25°C环境下），脉冲电流能力更高，达880mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯或作为多路复用器的一部分。
　　高频开关性能也是FDN143的重要特点之一。其输入电容仅为17pF，配合快速的开启和关断延迟时间（分别为4ns和7ns），使该器件能够胜任高速开关操作，适用于PWM调光、DC-DC转换器中的同步整流辅助电路以及高速数据线路的通断控制。低电容特性还有助于减少驱动电路的负载，降低功耗。此外，该MOSFET具有良好的抗静电能力，并通过了严格的可靠性测试，确保在复杂电磁环境下的长期稳定运行。总体而言，FDN143是一款集小型化、高效能与高可靠性于一体的理想选择，尤其适用于对空间和功耗敏感的应用场景。

应用

FDN143广泛应用于便携式电子设备中的电源管理与信号控制，例如智能手机和平板电脑中的背光LED开关、摄像头模块的电源通断控制、传感器电源门控以实现节能待机功能。此外，它也常用于微控制器I/O扩展电路中，作为逻辑电平转换器或驱动外部负载的接口元件。在工业控制领域，FDN143可用于PLC模块中的信号切换、继电器驱动缓冲级或通信接口的线路通断控制。由于其低导通电阻和快速响应特性，该器件也被用于DC-DC转换器的辅助开关电路、电池供电设备的负载开关设计以及各类低功率H桥驱动电路中。其SOT-23封装形式还使其成为原型开发和小批量生产中的优选器件，便于快速验证电路功能。