时间：2025/5/12 9:04:14
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FDMS86350 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用中。
FDMS86350 提供了出色的效率和性能，其设计旨在降低功耗并提高系统的整体可靠性。此外，它还采用了小型化封装，有助于节省电路板空间。
型号：FDMS86350
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：42A
PD（总功耗）：190W
f（最大工作频率）：5MHz
封装：SO-8
VGS(th)（栅极阈值电压）：2.5V（典型值）
Qg（栅极电荷）：17nC（典型值）
Tj（结温范围）：-55℃ 至 +150℃
FDMS86350 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，能够显著减少传导损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 42A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 小尺寸 SO-8 封装，有助于节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围，适用于多种环境条件。
6. 较低的栅极电荷 (Qg)，可提高系统效率。
7. 高可靠性和耐用性，适用于工业和消费类电子设备。
这些特性使得 FDMS86350 成为需要高效能和高性能的功率转换及控制应用的理想选择。
FDMS86350 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电机驱动电路，如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 计算机和服务器的 VRM（电压调节模块）。
4. 电池保护和管理系统。
5. 工业自动化和控制设备中的负载切换。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
由于其卓越的性能和可靠性，FDMS86350 在需要高效功率管理的应用中表现尤为出色。
FDMS86250
IRF7777
AO4402
