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FDMS86255 发布时间 时间:2025/4/28 16:53:27 查看 阅读:3

FDMS86255是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,旨在提供卓越的电气性能和可靠性。它通常用于功率转换、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  FDMS86255具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外,其快速开关特性和坚固的雪崩能力使其成为严苛环境下的理想选择。

参数

漏源击穿电压:60V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷:26nC
  输入电容:1370pF
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

FDMS86255的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 强大的雪崩能力和高可靠性,确保在异常条件下仍能正常工作。
  4. 符合RoHS标准,环保设计。
  5. 小尺寸封装(如TO-220或DPAK),便于PCB布局和散热管理。
  6. 广泛的工作温度范围,适应各种环境条件。

应用

FDMS86255适用于多种功率电子应用,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 电机控制和驱动电路中的逆变器或斩波器。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. 汽车电子系统中的电池管理单元或DC-DC转换器。
  6. 通信设备中的高效功率分配方案。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP36NF06L

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FDMS86255参数

  • 现有数量6,729现货
  • 价格1 : ¥34.82000剪切带(CT)3,000 : ¥17.47068卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta),45A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.4 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)63 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4480 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.7W(Ta),113W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-PQFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN