FDMS86255是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,旨在提供卓越的电气性能和可靠性。它通常用于功率转换、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的应用场景。
FDMS86255具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外,其快速开关特性和坚固的雪崩能力使其成为严苛环境下的理想选择。
漏源击穿电压:60V
连续漏极电流:31A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷:26nC
输入电容:1370pF
工作结温范围:-55℃至150℃
FDMS86255的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
2. 快速开关速度,适合高频应用。
3. 强大的雪崩能力和高可靠性,确保在异常条件下仍能正常工作。
4. 符合RoHS标准,环保设计。
5. 小尺寸封装(如TO-220或DPAK),便于PCB布局和散热管理。
6. 广泛的工作温度范围,适应各种环境条件。
FDMS86255适用于多种功率电子应用,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电机控制和驱动电路中的逆变器或斩波器。
3. 负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的电池管理单元或DC-DC转换器。
6. 通信设备中的高效功率分配方案。
IRFZ44N
FDP5800
STP36NF06L