时间：2025/4/28 17:09:50
阅读：1
FDMS86101是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换应用。其设计旨在满足现代电子设备对效率、可靠性和紧凑尺寸的需求。该器件通常用于电源管理电路、电机驱动器、DC-DC转换器和负载开关等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：107A
导通电阻：1.4mΩ
总栅极电荷：95nC
开关时间：典型值ton=11ns，toff=18ns
FDMS86101的主要特性包括超低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著减少功耗并提高系统效率。同时，它具备较低的栅极电荷和快速的开关时间，有助于减少开关损耗。此外，该器件还具有出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
该器件采用PowerTrench技术制造，从而实现了更低的寄生电感和更高的电流密度。这些特点使得FDMS86101非常适合于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子应用。
FDMS86101广泛应用于多种领域，包括但不限于服务器电源、通信电源、太阳能逆变器、电动汽车充电装置以及各类DC-DC转换器。其高性能表现也使其成为笔记本电脑适配器、USB-PD控制器和其他便携式设备的理想选择。此外，在电机驱动和负载切换方面，该器件同样表现出色。
FDMQ8201
FDP5500
IRF3205
