时间：2025/8/24 9:49:52
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FDMS8320LDC 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用先进的 PowerTrench? 技术。该器件是一款 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），适用于高频率、高效率的功率转换应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。FDMS8320LDC 的封装形式为 8 引脚 SOIC（表面贴装），便于集成到紧凑型 PCB 设计中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A（Tc=25°C）
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS=10V
导通阈值电压（VGS(th)）：1.1V ~ 2.5V
最大功耗（PD）：3.6W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：8-SOIC
FDMS8320LDC 具备出色的导通性能和开关性能，其导通电阻非常低，仅为 17mΩ，在高电流条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗。该 MOSFET 采用飞兆的 PowerTrench? 技术，通过优化沟槽结构来提升电流密度和热稳定性，确保在严苛工作环境下仍能保持稳定运行。
该器件具有较高的热阻性能，能够在较高的环境温度下维持可靠的工作状态。此外，FDMS8320LDC 内部集成了体二极管，适用于需要反向电流保护的应用场景。其 8-SOIC 封装形式不仅节省空间，还支持自动贴片工艺，适用于大规模工业生产。
该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。此外，其栅极驱动电压范围较宽（1.1V 至 2.5V 的导通阈值），兼容多种控制电路设计。
FDMS8320LDC 常用于多种功率电子系统中，例如笔记本电脑电源管理电路、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于需要高效率和小尺寸设计的便携式电子产品和嵌入式系统。
Si4410BDY、IRLML6401、FDMS86180、FDMS86101、FDMS86104
