时间：2025/6/28 15:08:28
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FDMS8025S 是一款 N 沣道半导体推出的高效能、低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造，具有出色的开关特性和较低的导通损耗，适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。FDMS8025S 的封装形式为 TO-263（DPAK），便于散热设计，并且能够承受较高的电流和电压应力。
这款 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及 LED 驱动器等领域，能够显著提升系统的整体性能和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：24nC（典型值）
输入电容：1190pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263（DPAK）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，减少开关损耗。
3. 较高的雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 采用无铅环保材料，符合 RoHS 标准。
5. 支持表面贴装工艺，简化生产流程。
6. 稳定的电气性能和高可靠性，适应多种复杂工况。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. LED 驱动器中的电流控制元件。
6. 其他需要高效功率切换的应用场景。
IRF8405, FDMF8025
