时间：2025/12/29 14:41:39
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FDMS7696A是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的PowerTrench?技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于各种高功率密度的设计场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大漏极电流(ID)：75A（在TC=25°C）
导通电阻(RDS(on))：7.5mΩ（最大值，当VGS=10V）
栅极阈值电压(VGS(th))：1.1V至2.5V（在VDS=5V时）
最大功耗(PD)：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8双封装
FDMS7696A采用飞兆半导体的PowerTrench?技术，该技术通过优化沟槽结构和电场分布来降低导通电阻并提高器件效率。该MOSFET具有极低的RDS(on)，在高电流应用中可显著减少导通损耗，提高系统能效。
此外，FDMS7696A具有优异的热管理性能，得益于其PowerPAK SO-8双封装结构，能够有效散热，从而在高负载条件下保持稳定运行。其高电流承载能力使其适用于大功率DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的VGS工作范围，便于与各种驱动电路兼容。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，FDMS7696A具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。
FDMS7696A广泛应用于服务器电源、笔记本电脑适配器、同步整流器、电池管理系统、DC-DC转换器以及电机控制等高性能电源管理领域。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合需要高效率和高功率密度的设计。
该MOSFET还可用于汽车电子系统、工业自动化设备和高功率LED照明驱动电路。在这些应用中，FDMS7696A能够提供稳定的性能和较长的使用寿命。
Si7696DP-T1-GE, FDS7696A
