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FDMS7692A 发布时间 时间:2025/6/3 11:16:29 查看 阅读:4

FDMS7692A是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  FDMS7692A适用于需要高电流承载能力和快速开关响应的应用场景,同时其封装形式也确保了良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:11nC
  输入电容:1220pF
  总功耗:21W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低导通损耗,从而提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,减少磁性元件体积并提升功率密度。
  3. 良好的热稳定性,即使在高负载条件下也能保持稳定的性能。
  4. 支持大电流操作,适合于工业级和汽车级应用。
  5. 紧凑的封装设计有助于节省电路板空间,并提供优秀的散热能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色设计要求。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. DC-DC转换器中的同步整流和降压/升压控制。
  4. 汽车电子系统,如电池管理系统和车载充电器。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  6. LED照明驱动和高亮度灯条控制电路。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FDP5500

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FDMS7692A参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PQFN,Power56
  • 供应商设备封装Power56
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMS7692ATR