FDMS7670S 时间：2025/8/24 19:00:27 阅读：11

FDMS7670S是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用先进的PowerTrench?技术，专为高效率功率转换应用而设计。该器件将两个N沟道MOSFET集成在一个封装中，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等高频开关电源场景。FDMS7670S采用了先进的封装技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、优异的热性能和高频操作能力，能够有效降低导通和开关损耗。

参数

类型：N沟道MOSFET（双管）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8.1A（每个器件）
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：3.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SO-8

特性

FDMS7670S采用PowerTrench?技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件的低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）使其非常适合高频开关应用，减少了开关损耗。
　　FDMS7670S采用SO-8封装，具有良好的热管理和空间利用率，适用于紧凑型电源设计。此外，该器件内置两个独立的N沟道MOSFET，可用于同步整流拓扑结构中的上下桥臂，简化了PCB布局并提高了系统可靠性。
　　该MOSFET具有高雪崩能量能力，增强了器件在高电压尖峰和瞬态条件下的耐用性。同时，其宽泛的工作温度范围支持在极端环境下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。

应用

FDMS7670S广泛应用于各类高效能电源管理系统中，包括但不限于：同步降压/升压DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、便携式电子设备的功率管理模块以及各类工业自动化控制设备中的电源转换模块。
　　由于其高效率和小尺寸特性，FDMS7670S也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品的电源管理单元中。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、LED照明驱动、电动助力转向系统等对效率和空间要求较高的应用场合。