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FDMS7650 发布时间 时间:2022/10/8 15:15:05 查看 阅读:939

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7650  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V


目录

概述

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7650  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V

    PowerTrench  N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor


参数

    通道数:1

    针脚数:8

    漏源极电阻:0.0008 Ω

    极性:N-Channel

    耗散功率:104 W

    阈值电压:1.9 V

    漏源极电压(Vds):30 V

    漏源击穿电压:30 V

    连续漏极电流(Ids):60.0 A

    上升时间:24 ns

    输入电容(Ciss):14965pF @15V(Vds)

    额定功率(Max):2.5 W

    下降时间:21 ns

    工作温度(Max):150 ℃

    工作温度(Min):-55 ℃

    耗散功率(Max):2.5W (Ta), 104W (Tc)

    安装方式:Surface Mount

    引脚数:8

    封装:Power-56-8

    长度:5 mm

    宽度:6 mm

    高度:1.05 mm

    工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ)


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FDMS7650参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C990 毫欧 @ 36A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs209nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14965pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-PQFN(5X6),Power56
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMS7650-NDFDMS7650TR