时间：2025/8/24 12:07:20
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FDMS7620S_F065 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）推出的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 PowerTrench? 技术，专为高效能功率转换和电源管理应用而设计。该器件封装为 DFN5x6，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：80 A
最大漏源电压（VDS）：30 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：6.5 mΩ @ VGS = 10 V
导通电阻温度系数：正温度系数
阈值电压（VGS(th)）：1.5 V ~ 2.5 V
功率耗散（PD）：94 W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：DFN5x6（5.0mm x 6.0mm）
引脚数：8
热阻（RθJA）：12.7°C/W
FDMS7620S_F065 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），在 VGS = 10 V 时仅为 6.5 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。其采用的 PowerTrench? 技术优化了晶圆结构，提升了器件的开关性能和热稳定性。
此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力和良好的热管理能力，热阻（RθJA）为 12.7°C/W，确保在高功率密度环境下依然能够稳定运行。器件的栅极驱动电压范围较宽（±20 V），适用于多种驱动电路设计。
FDMS7620S_F065 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源应用。其 DFN5x6 封装体积小巧，符合现代电子产品对空间紧凑化设计的需求，同时具备良好的散热性能。
该器件的可靠性高，工作温度范围宽（-55°C ~ 175°C），适用于工业级和汽车级应用场景。
FDMS7620S_F065 主要应用于需要高效率、高功率密度和紧凑设计的电源系统，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业控制设备、汽车电子系统（如车载充电器、DC-DC 转换器）等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源设计的理想选择。
SiZ880DT, FDMC7680, CSD17579Q5B, FDMS7680
