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FDMS7578 发布时间 时间:2025/4/28 10:42:56 查看 阅读:3

FDMS7578是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种需要高效能和低功耗的电子电路。
  FDMS7578广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动以及负载开关等场景。其卓越的电气特性和可靠性使其成为设计工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  开关速度:快
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流和耐压能力,适合高压和大电流应用环境。
  3. 出色的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
  4. 快速开关速度减少开关损耗,提升整体电路效率。
  5. 小尺寸封装选项支持紧凑型设计,节省PCB空间。
  6. 具备优异的抗静电能力(ESD保护),增强产品可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 汽车电子系统中的负载控制。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
  5. 笔记本电脑和其他便携式设备的电池管理方案。
  6. 各类消费电子产品中的负载切换功能实现。

替代型号

IRF7409, AO4402, FDP5500

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FDMS7578参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫欧 @ 17A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1625pF @ 13V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PQFN,Power56
  • 供应商设备封装Power56
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMS7578TR