时间：2025/6/19 14:38:52
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FDMS6681Z是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用TOLL封装形式。该器件由ON Semiconductor（安森美）生产，广泛应用于需要高效开关性能的电力电子系统中。其设计优化了导通电阻和栅极电荷，从而显著降低传导和开关损耗。此外，它还具有较低的反向恢复电荷，非常适合高频开关应用。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：239A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：175nC
输入电容：4050pF
工作温度范围：-55℃至175℃
反向恢复时间：80ns
FDMS6681Z采用了先进的半导体制造工艺，具备以下突出特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持高效运行。
2. 优化的栅极电荷（Qg），减少了开关过程中的能量损失。
3. 高温稳定性，能够承受极端环境温度，适用于工业及汽车级应用。
4. 紧凑的TOLL封装结构，提供出色的热性能和电气连接可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
该器件适用于多种电力转换和控制场景，包括但不限于：
1. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的牵引逆变器。
2. 工业电机驱动系统，如伺服驱动和变频器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
4. 不间断电源（UPS）系统以及数据中心供电模块。
5. 开关模式电源（SMPS）和DC-DC转换器等高效率电源管理方案。
FDMS6678Z, FDMS6682Z
