时间：2025/12/24 1:17:05
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FDMS3662 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛适用于需要高效能和高可靠性的功率转换应用中。
FDMS3662 的封装形式通常为 SO-8 封装，适合表面贴装工艺，能够有效减少寄生电感和提高散热效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：2.7mΩ
栅极电荷（典型值）：35nC
总电容（输入、输出和反向传输）：1450pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SO-8
FDMS3662 提供了多种优越的电气特性，使其非常适合用于高效率功率系统设计。
1. 极低的导通电阻确保在高负载电流下拥有更小的功耗和更高的效率。
2. 快速的开关性能降低了开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 优化的热阻设计有助于改善散热性能，从而支持更高的功率密度。
5. 采用无铅封装，符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内部二极管结构提供了反向保护功能，简化电路设计。
FDMS3662 可应用于各种高效率的功率转换场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业设备中的负载切换和保护。
5. 笔记本电脑适配器和 LED 照明驱动器等消费类电子产品中的功率管理模块。
FDMQ8205
FDS6680
IRF7739
STP14NM60L
