类型：MOSFET（N沟道）
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A（Tamb=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：17nC @ 10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SO-8（Power 3mm x 3mm）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

FDMS3629S采用PowerTrench?技术，优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。其低RDS(on)特性可显著降低导通损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件的栅极驱动电压兼容性强，可在4.5V至10V之间工作，适用于多种控制器和驱动电路。
　　该MOSFET具有良好的热性能，采用先进的封装技术，使器件在高电流下仍能保持较低的温升，从而提高了系统的稳定性和可靠性。其双N沟道结构设计使其特别适合用于同步整流、H桥驱动和负载开关等应用。
　　此外，FDMS3629S具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发负载或短路情况下的鲁棒性。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。

FDMS3629S广泛应用于各种高效率电源系统中，如笔记本电脑适配器、电源管理单元（PMU）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、LED驱动器以及电池管理系统等。由于其高集成度和优异的电气性能，也适用于高密度电源模块和手持设备电源管理电路。
　　在通信设备中，FDMS3629S可用于基站电源模块、以太网供电（PoE）系统以及各种便携式电子设备的电源控制电路。其低导通电阻和快速开关特性使其在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。

Si3442CDV-T1-GE3, FDS6675CZ, FDMC7680, IRF7427TRPBF