时间：2025/8/25 6:00:03
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FDMS36101L 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用了先进的 PowerTrench? 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于高频率开关操作。该 MOSFET 采用 8 引脚 SOIC 封装，具备良好的热性能和电流承载能力，适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：7.4A
导通电阻（RDS(on)）：21mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：3.2W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：8-SOIC
FDMS36101L 的核心优势在于其极低的导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。其采用的 PowerTrench? 技术通过优化沟槽结构，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该 MOSFET 还具有快速开关能力，适用于高频操作环境，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。其 8-SOIC 封装设计不仅节省空间，还支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。内置的栅极保护二极管提升了器件在高电压瞬态环境下的可靠性。此外，该器件符合 RoHS 标准，支持环保应用。
FDMS36101L 主要用于需要高效能功率开关的场合。常见应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及电源管理模块。在汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备中均有广泛应用。
例如，在 DC-DC 转换器中，FDMS36101L 可作为高边或低边开关，实现高效的能量转换；在电机控制中，它可用于驱动直流电机或步进电机；在电池管理系统中，可用于实现充放电控制与保护功能。由于其高可靠性和紧凑的封装形式，也适合用于空间受限的设计。
Si7356DP, FDS4410, IRF7413, NVTFS5C471NL
